Heima > Vitan > Innhihald

silikonkarbid (SiC) keramikk

Oct 04, 2022

Silikonkarbid (SiC) keramikkur hevur framúr eyðkenni so sum sterka oxideringsmótstøðuføri, góða slitmótstøðu, høga harðleika, góðan hitastabilitet, høgan hitastyrki, lítlan stuðul av hitaútbreiðslu, høga termiska leiðslu, termiska stoytmótstøðuføri og kemiska tæringsmótstøðuføri{{0} Tí hevur hon longu havt ein stóran leiklut í petroleum, kemikaliuídnaðinum, maskinum, loftrúmi, kjarnorku og øðrum feltum, og er alsamt meira virðismett. eftir fólk{1}} Til dømis kann SiC keramikk brúkast sum ymisk legur, kúlur, stútur, innsigli, skerjitól, gasstyrlublað, turbocharger rotorar, reflekterandi skermar og rakettbrenningarkammerfóður .





Framúrskarandi eginleikarnir hjá SiC keramikkinum eru tætt knýttir at teirra serligu strukturum{{0} SiC er eitt stoff við sterkum kovalentum bindi, og ionisiteturin hjá Si-C bindinum í SiC er bert umleið 12%{{3} Tí hevur SiC høga styrki, stóran elastiskan modul og framúr slitstoffur . Pure SiC verður ikki skerdur av sýruloysnum sum HCl, HNO3, H2SO4 og HF og alkaliloysnir sum NaOH{{8} oxidering er lætt at koma fyri, tá ið upphiting í luftini, men SiO2, sum er myndað á yvirflatuni, fer at tálma víðari diffusión av súrevni undir oxidering, so oxideringstíðin ikki er høg. Hvat el-eginleikum viðvíkur, er SiC hálvleiðarin, og innføringin av eini lítlari nøgd av óreinindum fer hitaleiðslu{12}}





SiC hevur og Tveir krystallformir. 1 Krystallbygnaðurin í SiC er kubikkskipan, og Si og C mynda andlitsmiðsavnandi kubikkgitter; 10. Tað eru fleiri enn 100 polytypur av SiC, so sum 4H, 15R og 6H, harav 6H polytypa er tann vanligasta í ídnaðarforriti. Tað er eitt ávíst termiskt stabilitetssamband millum ymiskar formar av SiC{{7} Tá hitin er lægri enn 1600 stig , SiC 1 SiC er til staðar. 1600 stig , 1 SiC umskapast so smátt til 1 Ymisk polytypur av SiC{11}}H SiC er lætt at myndast umleið 2000 stig ; Bæði 15R og 6H polytypur eru lættar at myndast við høgum hita omanfyri 2100 stig ; Fyri 6H SiC er tað sera støðugt sjálvt um hitin fer upp um 2200 stig . Munurin millum fríu orkurnar hjá ymiskum polytypum í SiC er sera lítil. Tí fer tann fasta upploysingin av sporóreinførum eisini at elva til broytingar í termisku stabilitetssambandinum millum polytypur.


Send fyrispurning
Set teg í samband við okkum
  • Tel: +86-13606432571
  • Fax: +86-533-2882161
  • Teldupostur: cyhu@163169.net
  • Legg til: NO{0}} Huaguang Vegur, Zhangdian, Zibo, Shandong, Kina Yulong Bygging B1401